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厂商型号

IPB120N06S4H1ATMA2 

产品描述

IPB120N06S4H1XT

内部编号

173-IPB120N06S4H1ATMA2

#1

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美国加州
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IPB120N06S4H1ATMA2产品详细规格

规格书 IPB120N06S4H1ATMA2 datasheet 规格书
安装风格 Through Hole
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 120 A
系列 IPB120N06
RDS(ON) 2.4 mOhms
封装 Reel
功率耗散 250 W
下降时间 15 ns
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PG-TO263-3-2
典型关闭延迟时间 60 ns
零件号别名 SP001028782
上升时间 5 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 270 nC
工厂包装数量 1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
宽度 9.25 mm
Qg - Gate Charge 270 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 120 A
长度 10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 2.4 mOhms
通道模式 Enhancement
身高 4.4 mm
典型导通延迟时间 30 ns
Pd - Power Dissipation 250 W
技术 Si

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